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重大突破!长江存储3D NAND芯片研发成功!

2017-11-17

近期紫光集团旗下长江存储已成功研发32层3D NAND Flash芯片,打破国外半导体厂三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据等的技术垄断!


        国家近几年不断加大对半导体产业的投资,尤其是在存储器领域芯片制造上的投入。由于存储器技术研发难度高,专利又集中在欧美大厂手上,业界对于大陆发展存储器计划多抱持保守态度,但近期长江存储在3D NAND技术研发进度超乎市场预期。


        长江存储是专注于3D NAND技术的代表队,更是紫光集团投入半导体产业的重量级代表作。业内半导体人士透露,长江存储11月将32层3D NAND芯片导入内,进行终端产品测试成功,代表大陆3D NAND研发迈入新里程碑。长江存储原本规划12月底才提供32层3D NAND样本,然该颗芯片样本提前出来,且第一版就通过终端实测,象征研发获得重大突破。


        虽然最关键的研发一环已有小成,但后期量产的良率也是成败的关键,未来要进入量产,势必要达到一定的良率,确保每片3D NAND的可用晶圆数量,成本结构才会具有市场竞争力。


        在产能规划方面,业者透露,长江存储已预定5000片产能的机台设备,预计2018年第2季投入试产,进度快慢要看良率而定,一旦长江存储3D NAND大量投片产出,可望打破全球3D NAND门票都掌握在国外公司的局面。


        长江存储投入3D NAND技术研发还不到两年,过去大陆NAND Flash技术研发主力是武汉新芯,其透过飞索(Spansion)技术授权,生产NOR Flash和SLC型NAND,长江存储于2016年7月成立之后,并购武汉新芯100%股权,成为大陆存储器研发及生产中心。


        根据长江存储先前揭露的计划,32层3D NAND主要是技术打底的动作,国内真正视为主流的是64层3D NAND技术,这也是目前三星、东芝、美光、SK海力士等NAND Flash大厂主流的技术。若大陆成功发展64层3D NAND技术,且全面大量投产,将有机会与三星、东芝、SK海力士等拉近差距,同时也标志者中国在NAND Flash芯片制造上能够达到国际水平。

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