HOME > NEWS >

市场机遇将至 这几种新型存储器有何优势?

2019-12-3
近年来,DRAM、NAND Flash、Nor Flash已发展成为全球主流存储器,但随着这些传统存储器微缩制程已逼近极限,加上存储技术发展进步以及终端需求的变化,新型存储器亦越来越受到市场关注,有的新型存储器正在迅速发展壮大,市场成长速度喜人。

今年5月,集邦咨询旗下半导体研究中心(DRAMeXchange)报告指出,不论是DRAM或NAND Flash,现有的存储器解决方案都面临着制程持续微缩的物理极限,这意味着要持续提升性能与降低成本都将更加困难。DRAMeXchange认为,次世代存储器(新型存储器)与现有解决方案各有优劣,最关键的机会点仍是在于价格。展望未来,需求陆续回温与价格弹性所带动的库存回补动能,可望带动2020年的现有存储器价格止跌反弹,让次世代存储器解决方案有机会打入市场。
目前市场上有哪些常见的新型存储器呢?下面将来盘点一下——

PRAM 
PRAM(相变存储器),也有人称PCM(Phase Change Memory),据悉该存储器技术是一种三明治结构,中间是相变层(和光盘材料一样,GST),这种材料的一个特性是会在晶化(低阻态)和非晶化(高阻态)之间转变,即利用这个高低阻态的变化来实现存储。与传统存储技术相比,PRAM拥有读写速度快、耐用性强、非挥发性等,读取速度和写入次数均优于领先于NAND Flash。

MRAM 
MRAM(磁性存储器)是一种非易失性存储器。据悉,MRAM技术速度接近静态随机存储的高速读取写入能力,具有闪存的非易失性,容量密度及使用寿命不输DRAM,但平均能耗远低于DRAM,且基本上可无限次地重复写入。
MRAM曾获得多家产业巨头的青睐,摩托罗拉的半导体部门、IBM、英飞凌、赛普拉斯、瑞萨、三星电子、SK海力士、美光等均曾陆续投入研发MRAM的行列。目前,MRAM技术已在向第二代发展,主流研究在于TAS-MRAM和STT-MRAM,STT-MRAM被视为是可以挑战DRAM和SRAM的高性能存储器,Everspin、三星电子、IBM、Grandis等企业均已涉足。

FRAM 
FRAM(铁电存储器)学术名为业界一般称其为FRAM,是一种非易失性存储器。采用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM具有ROM(只读存储器)和RAM(随机存取器)的特点,在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。据了解,FRAM技术早于1921年被提出,1993年美国Ramtron公司成功开发出第一个4K位的铁电存储器FRAM产品,FRAM逐渐开始商业化,主要供应商包括Ramtrom、TI、富士通等。富士通曾为Ramtrom进行单体存储器的量产晶圆代工,2020年双方终止合作,富士通开始独自开发FRAM并竭力推广。

ReRAM 
ReRAM(阻变存储器)是一种非易失性存储器,通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压,产生大的电阻差值来存储“0”和“1”。?其结构非常简单,两侧电极将金属氧化物包夹于中间,简化了制造工艺,同时可实现低功耗和高速重写等性能,比较适合可穿戴设备和小型医疗设备市场。

NRAM 

NRAM(碳纳米管存储器)是基于碳纳米管的非易失性存储器,该技术由美国公司Nantero开发,并授权于富士通为NRAM的首个商业合作伙伴,富士通从Nantero购买了IP,取得了的设计、生产和销售许可。据介绍,NRAM规格类似或接近于FRAM,存储密度远高于FRAM,读写速度接近于DRAM,比NAND Flash快100倍,拥有多于Flash 1000倍以上的读写次数,存储信息能保持


Pay attention to
深圳云储科技有限公司  工厂地址:深圳市龙华新区龙观东路28号桦浩泰工业园E栋   版权所有
 http://szcert.ebs.org.cn/govicon.js?id=2904dc76-dc93-474f-bc2f-7bc3814e8ad0&width=75&height=105&type=1" type="text/javascript" charset="utf-8">